讲师备注：本章用三个 45 分钟小节建立 ATLAS 器件仿真的输入、求解和结果证据链。
讲师备注：目标落在可观察能力上，课堂结束时学生应能独立复述并检查一条器件仿真链。
讲师备注：先给出整章地图，后面每个小节都回到这三个问题，避免把软件命令当作孤立知识点。
讲师备注：第1节用约 45 分钟说明 ATLAS 的定位、能力边界，以及一次仿真必须提交的五类输入。
讲师备注：强调器件仿真不是画结构，而是求解一个带边界条件和材料定律的偏微分问题。
讲师备注：这条链是功率器件 TCAD 的基本因果链，缺少结构来路或结果文件都会削弱结论。
讲师备注：把五类输入称为“合同”，因为任何一类改变都可能改变最终曲线和结论。
讲师备注：功率器件结论通常需要端特性定位工作点，再用内部量解释机制。
讲师备注：器件类型不同，但 ATLAS 输入合同的层次不变，变化集中在几何、材料、模型和指标选择。
讲师备注：本节示例 列出大量模块，本课只保留与功率器件结构、输运、击穿和热分析直接相关的部分。
讲师备注：这四类矛盾决定模型选择和结果指标，后续读任何功率器件论文都应先问它们。
讲师备注：课堂集中讨论功率器件级电热响应，确保有限时间用于结构、模型和证据链。
讲师备注：结构层是最容易隐藏错误的一层，命令能执行不代表区域、电极和掺杂在空间上正确。
讲师备注：可追溯性不是行政要求，而是复现曲线时判断“结构是否同一件东西”的唯一依据。
讲师备注：用结构代码把五个声明连起来，提醒学生不要只检查单条命令的语法。
讲师备注：先读命令再看图，确认每一个可见区域和边界都来自明确声明。
讲师备注：截图不是装饰，至少要读出横向尺寸、纵向层次、电极位置、材料颜色和掺杂量级。
讲师备注：一维截线能快速发现结深、极性和浓度量级错误，比只看二维颜色更可靠。
讲师备注：示例保留本节示例 中 4H-SiC 的关键参数，但不能把演示数值当作任何实际工艺的最终标定值。
讲师备注：模型选择的第一步是辨认器件工作区，而不是把所有模型一次性打开。
讲师备注：数值层不是“黑盒开关”，迭代策略必须与模型耦合强度及扫描难度匹配。
讲师备注：零偏初始解让后续每个扫描点都有连续的前一状态，这是可重复求解的起点。
讲师备注：日志是曲线的原始证据；截图可以辅助阅读，但不能代替可导出的数据列。
讲师备注：请学生用这五个问题检查自己的输入文件，答不出来的部分就是下一节要补齐的流程节点。
讲师备注：第2节用约 45 分钟走完 ATLAS 器件仿真流程，重点解释每个命令层负责什么，以及错误如何沿链条传播。
讲师备注：将流程理解为链而不是菜单，学生才能定位错误发生在哪一层。
讲师备注：本页强调 mesh 和局部 line 的位置与间隔，本页补充功率器件高场区需要局部加密的物理理由。
讲师备注：REGION 不是上色，而是给每个离散单元分配材料属性与后续物理模型作用域。
讲师备注：电极名会进入 solve、log 和结果曲线，命名错误会把物理问题变成数据解释问题。
讲师备注：电极和扫描路径是同一份合同的两面，电极接反会让“异常漏电”成为假问题。
讲师备注：功率器件的漂移区浓度和终端注入分布直接影响耐压、导通和电场形状。
讲师备注：本页强调掺杂分布可来自命令或文件，本页提醒用截线和已有数据核对，避免只凭颜色判断。
讲师备注：这一层决定材料内部和边界上发生了什么，必须与结构层的区域和电极一一对应。
讲师备注：本节示例 明确指出电流边界情形不能用 Gummel，并给出 trap 超限报错，本页将其放入参数解释。
讲师备注：这条顺序减少“改参数碰运气”，先排除不可收敛的输入，再优化数值策略。
讲师备注：solve init 不是形式步骤，它把结构、接触和模型带入一个已知电学状态。
讲师备注：区分日志与结构文件，避免把截图当作唯一结果，或者用错误文件继续计算。
讲师备注：本页使用基础二极管结构示例，重点不是 `bjt` 这个名字，而是结构、模型、初解、日志和扫描形成的闭环。
讲师备注：学生常只记扫描终点，忽略电极、面积和温度，导致两条看似相同的曲线不可比较。
讲师备注：这张图展示多个结构的叠加比较，读图时必须同时看保护环图例、电压范围和电流判据。
讲师备注：功率化不是简单拉长器件，而是增加几何、物理和输出三个维度的复杂度。
讲师备注：功率器件耐压结论必须同时给出扫描范围、电流判据和判据所在结构位置。
讲师备注：本节示例 将 Curvetrace 与击穿、闩锁和二次击穿仿真联系，这里只保留器件级击穿，不讨论外部电路。
讲师备注：文件链越完整，别人越容易复现；只有一个最终截图时，任何异常都无法回查。
讲师备注：如果学生能沿这条链解释每个节点，下节就可以开始对曲线和空间分布做物理解释。
讲师备注：第3节用约 45 分钟把求解结果转换为功率器件指标，并要求每条结论都有条件、图、数据和机制。
讲师备注：仿真扫描应模拟一个清晰的测量问题，先问“要测什么”，再决定电压、时间和输出变量。
讲师备注：本页使用直流特性示例，虽以 BJT 演示，读图纪律同样适用于功率二极管和 MOSFET。
讲师备注：把指标写成可重复的测量定义，避免不同学生用不同归一化方式比较曲线。
讲师备注：耐压不是曲线终点，课堂要求明确击穿判据并说明它对应哪一个端电流或电流密度。
讲师备注：C-V 能检查耗尽层和界面模型，但频率与直流偏置必须一起记录，否则曲线不可复现。
讲师备注：瞬态结果首先检查数值时间分辨率，再判断器件物理响应，避免把求解步长当成物理时间常数。
讲师备注：本节示例 的热学页强调 lat.temp 和 thermcontact，本页用击穿曲线说明热边界会改变强非线性结果。
讲师备注：三维不是“更高级”的默认选项，只有在二维模型无法覆盖关键几何或电流路径时才使用。
讲师备注：结果证据不能只有曲线；结构或掺杂图说明对象，曲线说明端行为，空间图说明原因。
讲师备注：不要只说“红色区域电场高”，要说明峰值在哪一个结构位置，以及它与击穿路径的关系。
讲师备注：电势图回答“电压降在哪里”，电场图回答“哪里最容易达到临界场”，两者必须联合解释。
讲师备注：功率器件的失效可能是电击穿，也可能是电流拥挤引起的热问题，因此场和电流密度不能混为一谈。
讲师备注：报告可以放截图，但答辩时必须能回到文件、数据列和可重跑命令。
讲师备注：一维截线应穿过关键结、表面或终端区域，不能只沿最方便的水平线导出。
讲师备注：CSV 是定量分析入口，导出后要核对表头和数据行，而不是直接用于画图。
讲师备注：排查顺序从错误根源到数值策略，避免把物理输入错误掩盖成“步长问题”。
讲师备注：若加密后关键指标显著变化，当前网格不足以支撑定量结论；若变化小，才可讨论收敛。
讲师备注：功率器件常用正向 I-V、反向漏电和击穿共同约束参数，只用一条曲线拟合不足以证明模型可信。
讲师备注：这个模板把描述、数值和机制压在一页内，便于学生答辩，也便于教师检查结论边界。
讲师备注：答辩不要求器件复杂，但要求每条陈述都能指回一个文件、图或明确判据。
讲师备注：回收三节主线，并再次明确课程边界，为第7章结构、模型和结果细节做铺垫。
讲师备注：任务只要求一条最小闭环，但必须完整；不以器件规模或曲线数量代替可复现性。
讲师备注：来源覆盖器件流程、结构编辑、结果分析和功率器件案例；具体案例图只用于方法说明。