讲师备注：本章用三个 45 分钟小节讲清结构、模型和结果分析。
讲师备注：目标从“会写命令”提升到“能解释参数和模型为何适合当前功率器件问题”。
讲师备注：先建立课程地图，后续每个结论都要求能回到这三层中的具体证据。
讲师备注：第1节约 45 分钟，从 ATLAS 命令和 DevEdit 两条路径讲结构建模与网格质量控制。
讲师备注：如果学生只能指着图说“这里有红色和蓝色”，说明还没有把结构理解为可计算数据。
讲师备注：五个层次彼此制约，改变区域或电极通常也要求重新检查网格和材料赋值。
讲师备注：工具选择由几何复杂度和可复现要求决定，而不是由哪一个界面看起来更高级决定。
讲师备注：先形成空间和材料，再挂电极与掺杂；顺序错误会影响默认区域和边界解释。
讲师备注：全局密度决定总成本，局部 line 决定关键区域的解析能力，两者必须分开控制。
讲师备注：用物理量梯度指导局部加密，可以在有限计算资源下保留击穿和漏电结果的可信度。
讲师备注：本节示例 明确指出 eliminate 的隔条删除行为，本页补充功率器件局部降密的验证要求。
讲师备注：区域定义是结构错误的高频来源，错误常在求解阶段才表现为“不收敛”。
讲师备注：功率器件的终端通常由多层介质和场板组成，材料域错一层就可能改变表面电场结论。
讲师备注：本节给出顶部、底部、区间、左端和右端电极形式，命名与位置必须一起检查。
讲师备注：接触边长会直接影响电流和电容，电极看起来“贴上了”不代表覆盖范围正确。
讲师备注：掺杂命令既有分布类型，也有浓度、结深、特征长度和空间位置等参数组，必须与物理来路匹配。
讲师备注：本节示例结构和参数生成都强调来源；有测量数据时，应明确哪些曲线是计算、哪些是实验。
讲师备注：逐条对照代码和图，确认网格位置、区域边界、电极表面和掺杂显示都来自显式声明。
讲师备注：DevEdit 适合手工构建复杂几何，但每一步都应保存并回到结构显示中核对。
讲师备注：本页用 id、region.id、峰值和参考浓度说明 DevEdit 的杂质定义，本页强调跨语句的一致性。
讲师备注：DevEdit 的网格不是自动生成后就结束，边界条件、三角形比例和局部约束共同决定结构质量。
讲师备注：ATLAS 文本便于版本管理和重复生成，DevEdit 更适合复杂几何与三维，但必须保存独立结构来源。
讲师备注：结构保存不是流程终点，只有通过几何、掺杂、电极和网格四项回归检查，后续求解才有稳定对象。
讲师备注：结构验收不通过时，不应进入材料模型和特性分析，否则后续结果没有稳定对象。
讲师备注：第2节约 45 分钟解释材料参数、迁移率、复合、碰撞电离、隧穿、统计、热、接触和界面的选择逻辑。
讲师备注：材料参数层把几何结构变成具体物理问题，参数来源应与模型选择一起说明。
讲师备注：结果报告中要区分软件默认、文献选择和实验校准，不能让读者误以为所有参数都已验证。
讲师备注：本节给出能带不连续和输出 con.band、val.band 的说明；功率异质结构分析必须检查这些量。
讲师备注：功率材料对晶型、温度和场强非常敏感，材料名称相同但参数来源不同会改变击穿和漏电结论。
讲师备注：示例保留本节示例定义方式，具体数值仅作语法说明，不能代替实际材料标定。
讲师备注：本节示例先定义半导体类别和自定义材料名，再在结构中引用；引用名必须完全一致。
讲师备注：本节示例 用少子寿命函数说明 C 解释器；本页不展开软件安装，只强调自定义物理关系的可追溯性。
讲师备注：本节列出 SRH、Auger、表面和陷阱复合；本课排除光学复合，只保留功率器件电热相关部分。
讲师备注：功率器件的漂移区、沟道和表面可能处于不同场强，不能用同一迁移率假设覆盖全部区域。
讲师备注：本节示例 列出多种碰撞电离模型，课堂重点是理解模型选择影响击穿，而不是背诵全部命令名。
讲师备注：功率肖特基和 JBS 的反向漏电常受势垒、隧穿和温度共同控制，不能只用理想热发射解释。
讲师备注：本节把统计、不完全离化和能带变窄列为一组，重掺杂功率器件的源漏和接触区尤其要检查。
讲师备注：器件热分析至少需要晶格温度模型和热接触，这两个条件与电学接触是两个独立边界。
讲师备注：本节给出 MOSFET、BJT/晶闸管和击穿推荐组合；本页按功率器件工作区重组，强调组合要有理由。
讲师备注：接触不是简单接零，功函数、边界类型、寄生与连接关系都会改变端特性和内部解。
讲师备注：本节说明肖特基、电流、寄生、短接和开路定义，并聚焦器件端边界。
讲师备注：功率器件的场氧、钝化和栅氧界面可能主导表面漏电，界面边界必须与材料结构精确对齐。
讲师备注：模型不是并列勾选项，功率器件强场和热效应会形成反馈，因此模型组合必须通过灵敏度检查。
讲师备注：校准的目标是提高可预测性，不是把某一条测量曲线拟合得最像。
讲师备注：如果学生说不清关闭模型后的变化，说明模型还只是命令，不是经过理解的物理假设。
讲师备注：第3节约 45 分钟讲 DC、AC、瞬态、热、Curvetrace 和三维结果，并完成从文件到结论的证据闭环。
讲师备注：仿真特性应模仿真实测量思路，但结果报告还要额外说明结构和模型，因为仿真条件比实验更透明。
讲师备注：直流特性示例给出多组基极条件下的集电极扫描，方法可迁移到功率器件的栅压或温度分组。
讲师备注：端特性分析的第一个质量门是坐标合同，不是曲线是否好看。
讲师备注：AC 结果要与偏置和频率绑定；功率器件的电容会包含结、栅、界面和寄生贡献。
讲师备注：本页用栅压斜坡示例说明 ramptime、tstep 和 tstop，功率器件还要记录初始温度和负载条件。
讲师备注：本节把 Curvetrace 与击穿、闩锁和二次击穿关联；本课只保留器件级耐压与热失控分析。
讲师备注：曲线在热参与后可能回折，不能把纯电学碰撞电离击穿与热失控混成一个判据。
讲师备注：本页指出三维语法可参照二维并增加 z 轴，真正的门槛是网格成本与结果解释。
讲师备注：结果页必须区分实时信息、空间结构和端特性日志，不同文件回答不同问题。
讲师备注：多曲线叠加图非常适合比较终端方案，但图例、坐标和判据缺失时很容易误读。
讲师备注：本页介绍 TonyPlot 显示和导出数据，本页强调导出后仍需检查坐标和列语义。
讲师备注：本节示例 给出 TonyPlot File → Export 和 CSV 格式流程，本课要求导出后做一次独立一致性检查。
讲师备注：从端特性到空间分布再到指标，是解释因果的顺序；直接看彩色云图容易失去问题上下文。
讲师备注：如果结构图与曲线来自不同器件版本，再漂亮的对比也不能作为同一结论的证据。
讲师备注：电场图要和电势图、I-V 拐点联合使用，不能仅凭某一点颜色判断器件已经击穿。
讲师备注：功率器件的失效可能由电场驱动，也可能由电流拥挤和自加热驱动，结果页要写清是哪一种机制。
讲师备注：本节把热学特性列为独立结果类别；本页强调热击穿和纯电击穿需要不同的证据组合。
讲师备注：证据矩阵把“结论需要哪些文件”前置，学生可以据此检查自己的汇报是否缺证据。
讲师备注：可信结果不仅有最低点，还要说明数值和模型不确定性；没有敏感性检查就只能写趋势性结论。
讲师备注：第3节结束时，学生应能用一张结果页回答“结果是什么、为什么、有多可信”。
讲师备注：回收结构、模型和结果三节，强调功率器件结论必须同时有物理机制和可复核数据。
讲师备注：任务以参数论证和证据闭环为主，不要求运行重型三维案例；重点是解释为什么这样建模。
讲师备注：参考文献覆盖结构生成、材料参数、物理模型、特性获取和功率器件案例，结果图仅用于方法说明。