半导体器件物理的基础知识可以参考施敏教授的经典著作《半导体器件物理》
SiC SBD
使用SiC制作的SBD（肖特基势垒二极管），可以轻松实现1,200V以上的高击穿电压二极管，但是使用Si基SBD最高时可达约200V。
通过替代目前盛行的高速，可以显着降低恢复损耗。
PN结二极管（FRD：快恢复二极管）与SBD。
这有助于提高电源效率，通过高频驱动实现线圈等无源元件的小型化、降噪。
其应用主要是功率因数校正（PFC）电路和次级侧整流桥，并扩展到电动汽车车载充电器、太阳能发电功率调节器、服务器电源、空调等。
器件结构
正向导通特性
反向导通特性
SiC MOSFET
摸鱼科技工作室