器件物理
识别结构、材料、掺杂和偏压条件,明确需要解释的物理现象。

研究生选修课
从器件物理出发,建立可计算的模型,用仿真解释工艺、结构与电学响应之间的关系,并把结果组织成可复核的技术报告。
Course Path
课程沿着“物理问题、模型建立、数值求解、证据表达”推进,重点不是记住软件按钮,而是能够说明结果为什么可信。
识别结构、材料、掺杂和偏压条件,明确需要解释的物理现象。
把器件问题转化为可计算的方程、参数、边界条件和适用条件。
理解网格、离散方法、收敛设置和计算成本对结果的影响。
用曲线、分布图、实验对照和误差分析支撑技术结论。
Courseware
每章按三个 45 分钟教学节组织,包含理论讲解、软件界面、仿真结果、课堂检查点和正式参考文献。
从 TCAD 基础走到实际流片,包含 SiC JBS 仿真与 2024 年 1200 V / 50 A IGBT 版图、封装和实测结果。
打开第 1 章课件 →建立器件问题、数值离散、网格、物理模型与结果可信性之间的完整理论基础。
打开第 2 章课件 →理解 DeckBuild、TonyPlot、运行流程、命令语义、文件类型和可追溯仿真记录。
打开第 3 章课件 →从 ATHENA 模块、网格和初始化走向氧化、结构提取与功率器件工艺链设计。
打开第 4 章课件 →系统讲解注入、扩散、薄膜、刻蚀、外延、光刻、优化实验与参数校准。
打开第 5 章课件 →建立 ATLAS 器件仿真的结构、材料、模型、数值求解、特性提取和结果证据链。
打开第 6 章课件 →深入结构编辑、材料参数、物理模型、DC/AC、瞬态、热学与结果解释。
打开第 7 章课件 →围绕 PiN、SiC JBS、肖特基二极管、MOSFET、IGBT 和保护环建立综合案例。
打开第 8 章课件 →Assessment
考试不安排笔试。每位学生完成一次 PPT 讲解并提交配套报告,用一条完整证据链说明问题、方法、结果和局限。
课堂参与、阶段任务和学习过程。重点是持续完成建模与结果分析练习。
报告应包含问题背景、模型假设、仿真设置、结果分析、误差来源和结论边界。
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